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【发明公布】一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂及其使用方法_杭州电子科技大学_202011153825.9 

申请/专利权人:杭州电子科技大学

申请日:2020-10-26

公开(公告)日:2021-01-19

公开(公告)号:CN112239869A

主分类号:C23F1/18(20060101)

分类号:C23F1/18(20060101);C23F1/20(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.02.05#实质审查的生效;2021.01.19#公开

摘要:本发明属于蚀刻天线技术领域,具体涉及一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂,由以下重量分数的原料组成:乌洛托品六亚甲基四胺3‑7份,硫脲2‑5份,氯化聚N‑羧甲基‑4‑乙烯基吡啶盐16‑28份,EDTA乙二胺四乙酸7‑10份,马来酸酐6.5‑10.5份,柠檬酸4‑8份,抗坏血酸6‑8份,过碳酸钠8‑12份,聚乙二醇2‑5份,去离子水28‑48份;本发明的缓蚀剂无毒无害,可加快整体蚀刻速度,同时减缓局部的蚀刻速度,在不影响整体蚀刻的进程中,能够保证蚀刻干净的同时尽可能的减少侧蚀,使得蚀刻过程平稳均匀地运行。

主权项:1.一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂,其特征在于,由以下重量原料组成:乌洛托品六亚甲基四胺3-7份,硫脲2-5份,氯化聚N-羧甲基-4-乙烯基吡啶盐16-28份,EDTA乙二胺四乙酸7-10份,马来酸酐6.5-10.5份,柠檬酸4-8份,抗坏血酸6-8份,过碳酸钠8-12份,聚乙二醇2-5份,去离子水28-48份。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 杭州电子科技大学 一种用于减少蚀刻天线侧蚀的缓蚀剂及其使用方法

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