申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2019-08-07
公开(公告)日:2021-02-09
公开(公告)号:CN112349701A
主分类号:H01L23/544(20060101)
分类号:H01L23/544(20060101);H01L21/311(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开
摘要:本发明提供一种半导体基板及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供衬底,所述衬底包括功能区及测量区;采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层,在所述测量区形成至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。本发明在制备半导体基板的工艺中,在测量区域形成多边形的测量单元,该形状的测量单元的受力力矩小,不易脱落,不会成为缺陷源,从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率;同时,多边形的测量单元的应力分布相对更均匀,结构更加稳定。
主权项:1.一种半导体基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底,所述衬底包括功能区及测量区;采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层,在所述测量区形成至少一测量膜层,在俯视方向上,所述测量膜层被划分为至少一测量单元,所述测量单元的形状为多边形,所述多边形的内角大于90度。
全文数据:
权利要求:
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