申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-08-09

公开（公告）日：2021-02-09

公开（公告）号：CN112349581A

主分类号：H01L21/04(20060101)

分类号：H01L21/04(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。本发明有助于提高所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层的黏附强度，降低所述第二电极板与所述第一刻蚀停止层之间出现分层的风险，从而改善封装质量。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二电极层；在所述第二电极层上形成氧化层；在所述氧化层表面形成第一刻蚀停止层；在所述第一刻蚀停止层上形成绝缘层；刻蚀所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第二电极层顶部表面，所述第一接触孔贯穿所述绝缘层、所述第一刻蚀停止层及所述氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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