申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-06-08

公开（公告）日：2021-02-09

公开（公告）号：CN112349725A

主分类号：H01L27/11563(20170101)

分类号：H01L27/11563(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：["20190807 KR 10-2019-0095919"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.04.01#实质审查的生效;2021.02.09#公开

摘要：提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元区、位于单元区的相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极，沿着与基底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开，并且在与基底的上表面平行的第二方向上延伸；沟道，在单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过堆叠的栅电极的至少一部分；以及第一模制件，包括在模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第二层与栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

主权项：1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，包括单元区、位于单元区的两个相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极结构，包括位于基底上的栅电极，栅电极堆叠为沿着与基底的上表面基本垂直的第一方向彼此间隔开，并且每个栅电极在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸；沟道，在基底的单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过栅电极结构的至少一部分；以及第一模制件，包括在基底的模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第一层与栅电极结构的栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 垂直存储器装置

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