申请/专利权人:TDK株式会社
申请日:2020-08-05
公开(公告)日:2021-02-09
公开(公告)号:CN112349831A
主分类号:H01L43/08(20060101)
分类号:H01L43/08(20060101);H01L43/10(20060101);C22C19/07(20060101)
优先权:["20190808 JP 2019-146332"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.09.26#授权;2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开
摘要:本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层,所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金,Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素,α和β满足2.3≤α+β、αβ且0.5α1.9,所述取代元素是选自第4族到第10族的元素中的比Fe熔点高的元素中的一种以上的元素。
主权项:1.一种磁阻效应元件,其特征在于,具备:第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层,所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金,Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素,α和β满足2.3≤α+β、αβ且0.5α1.9,所述取代元素是选自第4族到第10族的元素中的比Fe熔点高的元素中的一种以上的元素。
全文数据:
权利要求:
百度查询: TDK株式会社 磁阻效应元件以及惠斯勒合金
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