申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-10-23

公开（公告）日：2021-02-09

公开（公告）号：CN112349579A

主分类号：H01L21/02(20060101)

分类号：H01L21/02(20060101);H01L21/67(20060101);B24B7/22(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.08.01#发明专利申请公布后的驳回;2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置。其中晶圆背面减薄方法包括：提供待进行背面减薄的晶圆；对所述晶圆的背面进行至少一次湿法刻蚀，去除覆盖在所述晶圆背面的膜层，露出硅表面；通过太鼓减薄工艺，对露出硅表面的晶圆进行背面磨削减薄，使得在所述晶圆背面的边缘形成太鼓环。晶圆背面减薄装置用于执行如该晶圆背面减薄方法。本申请提供的晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置，可以解决相关技术中由于太鼓环在晶圆边缘形成阻挡，晶圆背面不同膜层的磨削碎屑无法正常排出，从而影响磨削砂轮的问题。

主权项：1.一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述晶圆背面减薄方法包括：提供待进行背面减薄的晶圆；对所述晶圆的背面进行至少一次湿法刻蚀，去除覆盖在所述晶圆背面的膜层，露出硅表面；通过太鼓减薄工艺，对露出硅表面的晶圆进行背面磨削减薄，使得在所述晶圆背面的边缘形成太鼓环。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置

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