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【发明授权】浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构_晶芯成(北京)科技有限公司_202011069600.5 

申请/专利权人:晶芯成(北京)科技有限公司

申请日:2020-10-09

公开(公告)日:2021-02-09

公开(公告)号:CN111933570B

主分类号:H01L21/762(20060101)

分类号:H01L21/762(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L27/092(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.02.09#授权;2020.12.01#实质审查的生效;2020.11.13#公开

摘要:本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构。该制造方法包括:提供一衬底;于所述衬底上形成垫氧化层和垫氮化层,并使用第一刻蚀制程形成隔离沟槽;使用一具有预设温度为80~150℃的表面处理液来消除所述隔离沟槽内衬底表面上的离子电荷和或残氧基团,并形成一第一氧化层,所述表面处理液包括比例为2.2~6.3:1的硫酸和氧化物的混合溶液;使用第二刻蚀制程刻蚀暴露所述衬底并形成一宽度为1‑15nm的台阶;使用原位蒸汽产生制程在所述隔离沟槽内形成一第二氧化层以钝化所述台阶;于所述钝化后的隔离沟槽中沉积绝缘介质,平坦化所述绝缘介质以形成所述浅沟槽隔离结构。本发明的制造方法避免或降低刻蚀过程中对衬底的损伤。

主权项:1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法,其特征在于,其包括:提供一衬底;于所述衬底上形成垫氧化层和垫氮化层,并使用第一刻蚀制程刻蚀所述垫氮化层、垫氧化层及部分衬底以形成隔离沟槽;使用一具有预设温度为80~150℃的表面处理液来消除所述隔离沟槽内衬底表面上的离子电荷和或残氧基团,所述表面处理液对所述衬底进行处理的时间为3~20min,形成一第一氧化层,所述第一氧化层的厚度为6-13nm,所述表面处理液包括硫酸和氧化物的混合溶液,所述硫酸和氧化物的比例为2.2~6.3:1;使用第二刻蚀制程刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层及所述第一氧化层,以暴露所述衬底并形成一宽度为1-15nm的台阶,所述第二刻蚀制程采用湿法刻蚀制程,所述湿法刻蚀制程包括:使用磷酸进行第一次湿法刻蚀,以刻蚀所述垫氮化层;使用所述表面处理液对第一次湿法刻蚀后的隔离沟槽进行表面处理;使用氢氟酸进行第二次湿法刻蚀,以刻蚀所述垫氧化层和所述第一氧化层;使用原位蒸汽产生制程在所述隔离沟槽内形成一第二氧化层以钝化所述台阶,而形成钝化后的隔离沟槽;于所述钝化后的隔离沟槽中沉积绝缘介质,平坦化所述绝缘介质以形成所述浅沟槽隔离结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 晶芯成(北京)科技有限公司 浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构

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