申请/专利权人:舍弗勒技术股份两合公司
申请日:2019-06-03
公开(公告)日:2021-02-12
公开(公告)号:CN112368913A
主分类号:H02K3/26(20060101)
分类号:H02K3/26(20060101);H05K1/02(20060101);H01F27/28(20060101)
优先权:["20180628 DE 102018115654.5"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开
摘要:本发明涉及一种线圈系统,所述线圈系统包括第一线圈,所述第一线圈具有大量层叠在彼此上方的平面线圈1‑6。为了提高这种线圈系统中的能量密度,作出以下规定:在每种情况下,位于彼此正上方的两个平面线圈1‑6竖直层叠在彼此之上并具有横向偏移,使得在每种情况下,至少部分地将第一平面线圈1的一个线匝和布置在所述第一平面线圈正上方的第二平面线圈2的两个线匝部分重叠地布置,所述线圈系统包括无源导体轨道结构7,所述无源导体轨道结构与所述线圈系统的所有载流平面线圈1‑6直流隔离,并且具有大量导体轨道23,所述导体轨道层叠在彼此之上并且形成第一梳状结构,所述第一梳状结构在所述第一线圈的至少一个边缘区域处接合至第二梳状结构中,所述第二梳状结构由位于彼此上方的所述平面线圈1‑6的外线匝的横向偏移产生,以及每个平面线圈1‑6的所述外线匝与所述无源导体轨道结构7的横向绝缘距离15的尺寸确定为使得所述第一线圈相对于所述无源导体轨道结构7基本绝缘。
主权项:1.一种线圈系统,所述线圈系统包括第一线圈,所述第一线圈具有大量层叠在彼此上方的平面线圈1-6,在每种情况下,位于彼此正上方的两个平面线圈1-6竖直层叠在彼此之上并具有横向偏移,使得在每种情况下,至少部分地将第一平面线圈1的一个线匝和布置在所述第一平面线圈正上方的第二平面线圈2的两个线匝部分重叠地布置,所述线圈系统包括无源导体轨道结构7,所述无源导体轨道结构与所述线圈系统的所有载流平面线圈1-6直流隔离,并且具有大量导体轨道23,所述导体轨道层叠在彼此之上并且形成第一梳状结构,所述第一梳状结构在所述第一线圈的至少一个边缘区域处接合至第二梳状结构中,所述第二梳状结构由位于彼此上方的所述平面线圈1-6的外线匝的横向偏移产生,其特征在于,每个平面线圈1-6的所述外线匝与所述无源导体轨道结构7的横向绝缘间隙15的尺寸确定为使得所述第一线圈相对于所述无源导体轨道结构7基本绝缘。
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