买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】半导体装置_新唐科技日本株式会社_201980043532.4 

申请/专利权人:新唐科技日本株式会社

申请日:2019-11-25

公开(公告)日:2021-02-12

公开(公告)号:CN112368850A

主分类号:H01L33/62(20060101)

分类号:H01L33/62(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权:["20181214 JP 2018-234349"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.06.22#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要:半导体装置1具备设于半导体层叠构造11的第一电极E1、设于衬底21的第二电极E2、以及将第一电极E1和第二电极E2接合的接合金属层30,在接合金属层30的内部存在间隙33。

主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,具备:第一电极,设于半导体层叠构造;第二电极,设于衬底;以及接合金属层,将上述第一电极和上述第二电极进行接合;在上述接合金属层的内部存在间隙。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 新唐科技日本株式会社 半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。