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【发明公布】一种LED紫光整面Al反射的发光器件_河源市天和第三代半导体产业技术研究院_202011231367.6 

申请/专利权人:河源市天和第三代半导体产业技术研究院

申请日:2020-11-06

公开(公告)日:2021-02-12

公开(公告)号:CN112366265A

主分类号:H01L33/46(20100101)

分类号:H01L33/46(20100101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.06.23#发明专利申请公布后的驳回;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要:本发明公开了一种LED紫光整面Al反射的发光器件,包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层;金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层;反射层采用Al反射层,做整面的反射层;发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层;CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层;在n型半导体层上面镀上导电层,在p型半导体层下面镀上欧姆接触层,透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层,并通过键合层与基板键合在一块。本发明解决了Ag在紫外波段反射率低和Ag反射层面积较小等问题,在很大程度上提高了LED半导体器件光通量,而且杜绝了Ag迁移,导致芯片失效问题。

主权项:1.一种LED紫光整面Al反射的发光器件,其特征在于,包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层;所述发光外延支撑基板由导电、导热性能好的材料构成;所述金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层;反射层采用Al反射层,做整面的反射层;所述发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层;所述CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层;在发光外延结构的n型半导体层上面镀上导电层,在p型半导体层下面镀上欧姆接触层,透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层,并通过键合层与发光外延支撑基板键合在一块。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 一种LED紫光整面Al反射的发光器件

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