申请/专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112152085B

主分类号：H01S5/22(20060101)

分类号：H01S5/22(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.12#授权;2021.01.15#实质审查的生效;2020.12.29#公开

摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件。本申请的半导体结构的制备方法，包括：获取一晶体外延结构，其中晶体外延结构包括本体结构、设于本体结构表面的脊形成层及设于脊形成层表面的欧姆接触层；刻蚀脊形成层和欧姆接触层，令脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留导电脊波导上的欧姆接触层；对耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；在耗损脊波导上形成绝缘层。故本申请通过改善半导体结构的制造工艺，来改善半导体器件的性能，且本申请通过在耗损脊波导的侧壁上进行粗糙化处理，加大了耗损脊波导的耗损。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：获取一晶体外延结构，其中所述晶体外延结构包括本体结构、设于所述本体结构表面的脊形成层及设于所述脊形成层表面的欧姆接触层，所述本体结构包括由下至上依次叠层设置的衬底、下限制层、量子阱层和上限制层；刻蚀所述脊形成层和所述欧姆接触层，令所述脊形成层形成至少一个导电脊波导和至少一个耗损脊波导，且保留所述导电脊波导上的所述欧姆接触层；对所述耗损脊波导的侧壁进行粗糙化处理；在所述耗损脊波导上形成绝缘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 度亘激光技术(苏州)有限公司 半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体器件

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