申请/专利权人：厦门瑶光半导体科技有限公司

申请日：2020-09-03

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN212542465U

主分类号：H01L33/14(20100101)

分类号：H01L33/14(20100101);H01L33/04(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.12#授权

摘要：本实用新型提供一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、非对称单向注入电子阻挡层、p型电导层和金属电极层；n型接触层接引有第一电极；金属电极层接引有第二电极。该具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，在p型电导层与有源层之间，插入非对称单向注入电子阻挡层，非对称单向注入电子阻挡层对电子具有高势垒阻挡作用，而对空穴为低势垒或无势垒，可实现单向空穴注入。该深紫外LED具有非对称的能带带阶，在导带底具有高带阶，在价带顶具有低带阶，形成非对称能带结构，使空穴无带阶阻挡，而电子受高带阶阻挡，可有效提高深紫外LED的电注入效率和光电转换效率。

主权项：1.一种具有非对称能带电子阻挡层的深紫外LED，其特征在于：自下至上依次包括衬底10、缓冲层20、n型接触层30、有源层40、非对称单向注入电子阻挡层50、p型电导层60和金属电极层70；所述n型接触层30接引有第一电极80；所述金属电极层70接引有第二电极90。

全文数据：

权利要求：

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