申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN212542444U

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.12#授权

摘要：本实用新型公开了一种半导体结构，包括衬底，所述衬底上有一鳍状结构，浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面，以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上有一鳍状结构；浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面；以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构

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