申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-07-28

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382636A

主分类号：H01L27/11578(20170101)

分类号：H01L27/11578(20170101);H01L27/11573(20170101)

优先权：["20190729 KR 10-2019-0091409"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.07.19#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：一种半导体存储器件包括：外围逻辑结构，包括在基板上的外围电路；水平半导体层，沿着外围逻辑结构的顶表面延伸；多个堆叠结构，沿着第一方向布置在水平半导体层上；以及多个电极分隔区域，在所述多个堆叠结构中的每个中以在不同于第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个堆叠结构中的每个包括第一电极垫和在第一电极垫上的第二电极垫，第一电极垫在第一方向上突出超过第二电极垫第一宽度，第一电极垫在第二方向上突出超过第二电极垫第二宽度，第二宽度不同于第一宽度。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：外围逻辑结构，包括在基板上的外围电路；水平半导体层，沿着所述外围逻辑结构的顶表面延伸；多个堆叠结构，沿着第一方向布置在所述水平半导体层上；以及多个电极分隔区域，在所述多个堆叠结构的每个中以在与所述第一方向不同的第二方向上延伸，其中所述多个堆叠结构中的每个包括第一电极垫和在所述第一电极垫上的第二电极垫，所述第一电极垫在所述第一方向上突出超过所述第二电极垫第一宽度，所述第一电极垫在所述第二方向上突出超过所述第二电极垫第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件

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