申请/专利权人：天津大学

申请日：2020-10-13

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382667A

主分类号：H01L29/792(20060101)

分类号：H01L29/792(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/24(20060101);H01L27/11568(20170101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.08.04#发明专利申请公布后的驳回;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明涉及柔性电子器件技术领域，为设计并制备一种基于锆钛复合氧化物介质层的柔性底栅结构电荷俘获型存储器，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，柔性底栅结构电荷俘获型存储器，在PET衬底上从下至上依次形成氧化铟锡底栅电极以及氧化物阻挡层、存储层、氧化物隧穿层，氧化物隧穿层上方是在SOI上形成的掺杂区，掺杂区上方形成有源漏电极，锆钛复合氧化物介质组成的存储层用于存储通过隧穿层的电荷，氧化铝隧穿层在栅漏之间不加电场时隔离存储层和Si薄膜；氧化铝阻挡层防止底栅电极和存储层之间电荷转移。本发明主要应用于柔性电子器件设计制造场合。

主权项：1.一种柔性底栅结构电荷俘获型存储器，其特征是，在PET衬底上从下至上依次形成氧化铟锡底栅电极以及氧化物阻挡层、存储层、氧化物隧穿层，氧化物隧穿层上方是在SOI上形成的掺杂区，掺杂区上方形成有源漏电极，锆钛复合氧化物介质组成的存储层用于存储通过隧穿层的电荷，氧化铝隧穿层在栅漏之间不加电场时隔离存储层和Si薄膜；氧化铝阻挡层防止底栅电极和存储层之间电荷转移。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 柔性底栅结构电荷俘获型存储器及其制备方法

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