申请/专利权人：苏州紫灿科技有限公司

申请日：2020-10-30

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382710A

主分类号：H01L33/14(20100101)

分类号：H01L33/14(20100101);H01L33/00(20100101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.03.17#发明专利申请公布后的驳回;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及其制备方法，该具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、阶梯型电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层。沿量子阱有源层到p型AlGaN空穴注入层的方向上，阶梯型电子阻挡层依次包括第一AlGaN阻挡层、GaN阻挡层和第二AlGaN阻挡层，第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于量子阱有源层中势垒的Al组分含量百分数，且第二AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于或等于第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数。本发明通过引入阶梯型电子阻挡层结构，提升了电子阻挡层的等效势垒高度，缓解了电子溢流效应，从而提高了深紫外LED的发光效率。

主权项：1.一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED，其特征在于，所述具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、阶梯型电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；所述阶梯型电子阻挡层包括沿所述量子阱有源层至p型AlGaN空穴注入层的排布方向依次层叠布置的第一AlGaN阻挡层、GaN阻挡层和第二AlGaN阻挡层，所述第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于所述量子阱有源层中势垒的Al组分含量百分数，且所述第二AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数大于或等于第一AlGaN阻挡层的Al组分含量百分数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州紫灿科技有限公司 一种具有阶梯型电子阻挡层结构的深紫外LED及制备方法

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