申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-11-02

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382570A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/66(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种PMOS的制造方法，包括：步骤一、在晶圆上形成PMOS的栅极结构，在栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层；步骤二、测量晶圆上的所述T2G的片内分布；步骤三、根据T2G的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，利用热处理工艺的温度对沟道区的应力影响补偿T2G对所述沟道区的应力的影响，使晶圆上各区域的沟道区的应力的差异变小且都满足要求值；步骤四、按照设置的温度分布进行所述热处理工艺。本发明能实现对晶圆的PMOS产品进行及时动态调整，能提高产品的片内、片间以及批次间的饱和源漏电流的均匀性。

主权项：1.一种PMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶圆上形成PMOS的栅极结构，在所述栅极结构两侧形成嵌入式锗硅外延层，所述嵌入式锗硅外延层形成于凹槽中，T2G为所述嵌入式锗硅外延层的尖端和所述栅极结构之间的间距；所述晶圆由半导体衬底组成，所述晶圆上集成有多个所述PMOS，所述栅极结构覆盖的所述半导体衬底表面形成有沟道区；步骤二、测量所述晶圆上的所述T2G的片内分布；步骤三、根据所述T2G的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，所述T2G越大的区域对应的所述热处理工艺的温度越高以及所述T2G越小的区域对应的所述热处理工艺的温度越低，利用所述热处理工艺的温度对所述沟道区的应力影响补偿所述T2G对所述沟道区的应力的影响，使所述晶圆上各区域的所述沟道区的应力的差异变小且都满足要求值；步骤四、按照设置的温度分布进行所述热处理工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 PMOS的制造方法

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