【发明公布】栅极的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202011201919.9 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2020-11-02

发明/设计人:孟祥国;胡秀梅;陆连

公开(公告)日:2021-02-19

代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112382564A

代理人:郭四华

主分类号:H01L21/28(20060101)

地址:201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

分类号:H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.19#公开

摘要:本发明公开了一种栅极的制造方法,包括步骤:步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和非晶硅层;步骤二、在非晶硅层表面上形成硬质掩膜层,根据后续非晶硅栅的的各侧面的横向位置收缩选择硬质掩膜层的材质,使硬质掩膜层的硬度变软且保证后续栅极刻蚀后使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平;步骤三、光刻定义出栅极的形成区域;步骤四、依次对硬质掩膜层和非晶硅层进行刻蚀实现栅极刻蚀。本发明能控制非晶硅栅顶部的硬质掩膜层的形貌,使硬质掩膜层的侧面位于对应的非晶硅栅的侧面内侧或相平,从而有利于非晶硅栅的关键尺寸的测量并提高非晶硅栅的关键尺寸的测量精度和稳定性。

主权项:1.一种栅极的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和非晶硅层;相对于多晶硅材料,所述非晶硅层在后续栅极刻蚀中横向耐刻蚀特性下降并会使后续的非晶硅栅的各侧面的横向位置向所述非晶硅栅的中心产生收缩;步骤二、在所述非晶硅层表面上形成硬质掩膜层,根据后续所述非晶硅栅的的各侧面的横向位置收缩选择所述硬质掩膜层的材质,使所述硬质掩膜层的硬度变软且保证后续所述栅极刻蚀后使所述硬质掩膜层的侧面位于对应的所述非晶硅栅的侧面内侧或相平;步骤三、光刻定义出栅极的形成区域;步骤四、依次对所述硬质掩膜层和所述非晶硅层进行刻蚀实现所述栅极刻蚀,由所述栅极刻蚀后的所述非晶硅层组成所述非晶硅栅,由所述栅极刻蚀后的所述第一栅介质层、所述非晶硅栅和所述硬质掩膜层叠加形成第一栅极结构。

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权利要求:

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