申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-11-04

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382608A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.04.12#发明专利申请公布后的驳回;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种铜互连线的制造方法，包括步骤：步骤一、提供具有平坦表面的前层膜，在前层膜上形成阻挡层、铜籽晶层，在铜籽晶层上电镀形成铜层；步骤二、进行铜反应离子刻蚀工艺对选定区域中的铜层、铜籽晶层和阻挡层进行刻蚀，由未被刻蚀的阻挡层、铜籽晶层和铜层叠加形成铜互连线；步骤三、形成钴层将铜互连线的顶部表面和侧面包覆；步骤四、在铜互连线之间填充层间膜。本发明能消除铜填孔问题，能使铜互连线线的完整性非常好并从而能降低导通电阻，能很好的适用于7nm以下技术节点。

主权项：1.一种铜互连线的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供具有平坦表面的前层膜，在所述前层膜上形成阻挡层、铜籽晶层，在所述铜籽晶层上电镀形成铜层；步骤二、进行铜反应离子刻蚀工艺对选定区域中的所述铜层、所述铜籽晶层和所述阻挡层进行刻蚀，由未被刻蚀的所述阻挡层、所述铜籽晶层和所述铜层叠加形成铜互连线；步骤三、形成钴层将所述铜互连线的顶部表面和侧面包覆；步骤四、在所述铜互连线之间填充层间膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 铜互连线的制造方法

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