【发明公布】铜互连线的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202011214868.3 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2020-11-04

发明/设计人:许家彰;蔡旻錞;陈建勋

公开(公告)日:2021-02-19

代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112382608A

代理人:郭四华

主分类号:H01L21/768(20060101)

地址:201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

分类号:H01L21/768(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.19#公开

摘要:本发明公开了一种铜互连线的制造方法,包括步骤:步骤一、提供具有平坦表面的前层膜,在前层膜上形成阻挡层、铜籽晶层,在铜籽晶层上电镀形成铜层;步骤二、进行铜反应离子刻蚀工艺对选定区域中的铜层、铜籽晶层和阻挡层进行刻蚀,由未被刻蚀的阻挡层、铜籽晶层和铜层叠加形成铜互连线;步骤三、形成钴层将铜互连线的顶部表面和侧面包覆;步骤四、在铜互连线之间填充层间膜。本发明能消除铜填孔问题,能使铜互连线线的完整性非常好并从而能降低导通电阻,能很好的适用于7nm以下技术节点。

主权项:1.一种铜互连线的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供具有平坦表面的前层膜,在所述前层膜上形成阻挡层、铜籽晶层,在所述铜籽晶层上电镀形成铜层;步骤二、进行铜反应离子刻蚀工艺对选定区域中的所述铜层、所述铜籽晶层和所述阻挡层进行刻蚀,由未被刻蚀的所述阻挡层、所述铜籽晶层和所述铜层叠加形成铜互连线;步骤三、形成钴层将所述铜互连线的顶部表面和侧面包覆;步骤四、在所述铜互连线之间填充层间膜。

全文数据:

权利要求:

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