【发明公布】FDSOI的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202011251767.3 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2020-11-11

发明/设计人:李中华;陈宇峰

公开(公告)日:2021-02-19

代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112382605A

代理人:郭立

主分类号:H01L21/762(20060101)

地址:201315 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

分类号:H01L21/762(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.19#公开

摘要:本发明公开了一种FDSOI的制造方法,包括如下步骤:步骤一,提供一FDSOI衬底结构,所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底;所述埋层氧化层形成于硅衬底表面,所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面,所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面;步骤二,涂布光刻胶并显影,界定出混合区域;步骤三,刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅,并横向去除绝缘体上硅形成沟槽;步骤四,刻蚀去除混合区域的埋层氧化层;步骤五,去除光刻胶及刻蚀残余物;步骤六,在所述混合区域外延生长硅。本发明实现FDSOI工艺中无鼓包且平坦化的硅外延层,从而降低工艺缺陷,扩大FDSOI工艺窗口,提高器件性能及产品良率。

主权项:1.一种FDSOI的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,提供一FDSOI衬底结构,所述FDSOI衬底结构包含硬掩膜层、绝缘体上硅、埋层氧化层和硅衬底;所述埋层氧化层形成于硅衬底表面,所述绝缘体上硅形成于所述埋层氧化层表面,所述硬掩膜层形成于所述绝缘体上硅表面;步骤二,涂布光刻胶并显影,界定出混合区域;步骤三,刻蚀去除混合区域的硬掩膜层、绝缘体上硅,并横向去除绝缘体上硅形成沟槽;步骤四,刻蚀去除混合区域的埋层氧化层;步骤五,去除光刻胶及刻蚀残余物;步骤六,在所述混合区域外延生长硅。

全文数据:

权利要求:

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