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【发明公布】等离子体浸没离子注入设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202011253730.4 

申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

申请日:2020-11-11

公开(公告)日:2021-02-19

公开(公告)号:CN112376029A

主分类号:C23C14/48(20060101)

分类号:C23C14/48(20060101);H01J37/317(20060101);H01L21/67(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.10.21#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要:本发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备,包括:工艺腔,在工艺腔中设置有基座,且工艺腔接地,基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在工艺腔的顶部,且与工艺腔的内部连通;并且,介质筒的内径由上而下逐渐增大;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在介质筒的顶部,并且匀气部件的下表面具有暴露于介质筒内部的匀气区域,且匀气区域中分布有多个出气口,用以向介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与匀气部件和工艺腔的腔室壁电导通。本发明实施例提供的等离子体浸没离子注入设备,其可以提高晶片掺杂均匀性。

主权项:1.一种等离子体浸没离子注入设备,其特征在于,包括:工艺腔,在所述工艺腔中设置有基座,所述基座包括用于承载晶片的承载面,并且所述工艺腔接地,所述基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在所述工艺腔的顶部,且与所述工艺腔的内部连通;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在所述介质筒的顶部,并且所述匀气部件的下表面具有暴露于所述介质筒内部的匀气区域,且所述匀气区域中分布有多个出气口,用以向所述介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在所述介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与所述匀气部件和所述工艺腔的腔室壁电导通。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 等离子体浸没离子注入设备

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