申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司
申请日:2020-11-11
公开(公告)日:2021-02-19
公开(公告)号:CN112376029A
主分类号:C23C14/48(20060101)
分类号:C23C14/48(20060101);H01J37/317(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.10.21#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开
摘要:本发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备,包括:工艺腔,在工艺腔中设置有基座,且工艺腔接地,基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在工艺腔的顶部,且与工艺腔的内部连通;并且,介质筒的内径由上而下逐渐增大;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在介质筒的顶部,并且匀气部件的下表面具有暴露于介质筒内部的匀气区域,且匀气区域中分布有多个出气口,用以向介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与匀气部件和工艺腔的腔室壁电导通。本发明实施例提供的等离子体浸没离子注入设备,其可以提高晶片掺杂均匀性。
主权项:1.一种等离子体浸没离子注入设备,其特征在于,包括:工艺腔,在所述工艺腔中设置有基座,所述基座包括用于承载晶片的承载面,并且所述工艺腔接地,所述基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在所述工艺腔的顶部,且与所述工艺腔的内部连通;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在所述介质筒的顶部,并且所述匀气部件的下表面具有暴露于所述介质筒内部的匀气区域,且所述匀气区域中分布有多个出气口,用以向所述介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在所述介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与所述匀气部件和所述工艺腔的腔室壁电导通。
全文数据:
权利要求:
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