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【发明公布】一种电解质支撑型电解池阻挡层的制备方法_中国科学院大连化学物理研究所_202011272189.1 

申请/专利权人:中国科学院大连化学物理研究所

申请日:2020-11-13

公开(公告)日:2021-02-19

公开(公告)号:CN112382774A

主分类号:H01M8/0226(20160101)

分类号:H01M8/0226(20160101);H01M8/1213(20160101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.09#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要:本发明涉及一种电解质支撑型电解池阻挡层的制备方法,主要包括两个步骤,1阻挡层预烧:将纳米LnxCe1‑xO2粉体与正丁醇、邻苯二甲酸二辛脂混合研磨配置成浸涂浆料,将浸涂浆料涂敷在电池电解质表面,干燥后在还原气氛中烧结,烧结温度为500‑1000℃,还原气氛为氢气与惰性气体的混合气;2阻挡层高温烧制:配置含Ln和Ce金属离子的溶液,形成阻挡层修饰液,金属离子浓度为0.1‑0.5molL,将阻挡层修饰液均匀分散到预烧的阻挡层中,然后再次在800‑1200℃烧制缓冲层,得到致密度良好的缓冲层。该方法制备的LnxCe1‑xO2阻挡层具有良好的致密性,有效阻隔高活性CoFe基阴极与YSZ电解质反应,且制备方法简单易放大。

主权项:1.一种电解质支撑型电解池阻挡层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1阻挡层预烧:将纳米LnxCe1-xO2粉体与正丁醇、邻苯二甲酸二辛脂混合研磨配置成浸涂浆料,其中,Ln为Gd、Sm、Y或La中的一种或多种,0.05≤x≤0.5;所述浸涂浆料中,LnxCe1-xO2的质量分数为30%~50%,正丁醇质量分数为47%~68.5%,邻苯二甲酸二辛脂质量分数为1.5%~3%;将浸涂浆料涂敷在电池电解质表面,干燥后形成阻挡层,在还原性气氛下高温烧结,烧结温度为500~1000℃,烧结时间为0.5~3小时;2阻挡层高温烧制:配置含Ln和Ce金属离子的阻挡层修饰液,阻挡层修饰液中Ln和Ce的摩尔比与纳米LnxCe1-xO2粉体中Ln和Ce的摩尔比相同,总的金属离子浓度为0.1~0.5molL;将阻挡层修饰液均匀分散到预烧后的阻挡层中,再次高温烧结阻挡层,烧结温度为800~1200℃,烧结时间为1~10小时。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院大连化学物理研究所 一种电解质支撑型电解池阻挡层的制备方法

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