申请/专利权人：清华大学

申请日：2020-11-16

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112383288A

主分类号：H03H3/10(20060101)

分类号：H03H3/10(20060101);H03H9/02(20060101);H03H9/145(20060101);H03H9/25(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种温度补偿的免封装声表面波器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、叉指换能器、二氧化硅层、高声速层；所述基片包括压电单晶基片和或生长了强织构压电薄膜的基片；当所述基片为所述生长了强织构压电薄膜的常规基片时，在其生长了强织构压电薄膜的一面上设置所述二氧化硅层；所述二氧化硅层设置在所述基片上并覆盖所述叉指换能器及其相邻叉指间隙。本发明通过将高声速层覆盖在器件上方的方式，抑制声波的向上传播，可以实现器件的免封装，进而推动声表面波器件在降低成本、提高良率、推进器件小型化等方面的进步，通过采用成熟的温度补偿声表面波器件中各功能层制备的方法，在提高器件温度稳定性的同时保证了器件的品质。

主权项：1.一种温度补偿的免封装声表面波器件，其特征在于：它由下至上依次包括基片、叉指换能器、二氧化硅层、高声速层；所述基片包括压电单晶基片和或生长了强织构压电薄膜的基片；当所述基片为所述生长了强织构压电薄膜的常规基片时，在其生长了强织构压电薄膜的一面上设置所述二氧化硅层；所述二氧化硅层设置在所述基片上并覆盖所述叉指换能器及其相邻叉指间隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 一种温度补偿的免封装声表面波器件及其制备方法

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