申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司

申请日：2020-11-17

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112379480A

主分类号：G02B6/136(20060101)

分类号：G02B6/136(20060101);G02B6/132(20060101);G02B6/13(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.05.24#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本申请提供一种波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜，其中，所述波导结构复合衬底的制备方法包括在衬底层上制备波导层前体；在所述波导层前体上制备移除层前体；在所述移除层前体上进行刻蚀，形成移除层；在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同，其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构，所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度；在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料；去除所述移除层；继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底。采用上述方案，缩短复合衬底的制备时间，提高复合衬底的制备效率。

主权项：1.一种波导结构复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：在衬底层上制备波导层前体；在所述波导层前体上制备移除层前体；在所述移除层前体上进行刻蚀，形成移除层；在所述波导层前体上进行刻蚀，形成波导层，所述波导层的顶部图案和所述移除层的图案相同，其中刻蚀后在所述波导层中形成凹槽结构，所述凹槽结构的高度等于所述波导层厚度；在所述衬底层上所述移除层所在的一侧沉积包覆隔离层材料；去除所述移除层；继续沉积所述包覆隔离层材料，并对其平坦化至目标厚度，得到包覆隔离层，获得波导结构复合衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 波导结构复合衬底的制备方法、复合衬底及光电晶体薄膜

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