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【发明公布】C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法_中国科学院兰州化学物理研究所_202011362699.8 

申请/专利权人:中国科学院兰州化学物理研究所

申请日:2020-11-27

公开(公告)日:2021-02-19

公开(公告)号:CN112376033A

主分类号:C23C14/48(20060101)

分类号:C23C14/48(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/20(20060101);C08J7/12(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.07.23#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要:本发明公开了一种C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法,是采用真空电弧离子源,在氟硅橡胶表面依次注入C、Al,获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶,氟硅橡胶的摩擦系数从0.8降低到0.25左右。本发明由于氟硅橡胶C元素的掺入能够有效提高了FVMQ机械强度、耐油性和溶胀性;Al元素的掺入能够降低FVMQ的摩擦系数,获得低摩擦补强FVMQ,对工业应用来说,本发明具有重要意义。另外,本发明采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源在FVMQ表面进行了双元素(C和Al)的序列注入,其操作简单,可控性强。

主权项:1.C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法,是采用真空电弧离子源,在氟硅橡胶表面依次注入C、Al,获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶表面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院兰州化学物理研究所 C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法

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