申请/专利权人：北京中科芯蕊科技有限公司

申请日：2020-12-11

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382325A

主分类号：G11C11/419(20060101)

分类号：G11C11/419(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明提供的一种亚阈值SRAM读写辅助电路，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、NMOS晶体管、电容和反相器。第一PMOS晶体管栅极连接读辅助控制信号，用于连接电源的正极和VDDWL。第二PMOS晶体管栅极连接读加速控制信号，用于连接电源的正极和VDDWL。第三PMOS晶体管栅极连接输入信号，用于连接VDDWL和字线。第四PMOS晶体管MP4栅极连接读辅助控制信号，用于连接电源的地线和字线。NMOS晶体管栅极连接输入信号，用于连接电源的地线GND。电容上极板连接字线，下极板连接反相器的输出。反相器输入为写辅助控制信号。本发明在保证读稳定性的前提下，实现了SRAM的快速访问。并且利用电容的耦合作用抬高字线使字线电压高于电源电压，实现写辅助。

主权项：1.一种亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，所述辅助电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、NMOS晶体管、电容和反相器；所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极均与电源的正极连接，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第二PMOS晶体管的漏极均与所述第三PMOS晶体管的源极连接，所述第一PMOS晶体管的栅极与读辅助控制信号连接，所述第二PMOS晶体管的栅极与读加速控制信号连接；所述第三PMOS晶体管的漏极、所述NMOS晶体管的漏极、所述第四PMOS晶体管的源极和所述电容的正极板均与字线连接；所述第三PMOS晶体管的栅极和所述NMOS晶体管的栅极均与输入信号连接；所述NMOS晶体管的源极与电源的地线连接；所述第四PMOS晶体管的漏极与电源的地线连接，所述第四PMOS晶体管的栅极与读辅助控制信号连接；所述电容的负极板与反相器的输出端连接，所述反相器的输入端连接写辅助控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京中科芯蕊科技有限公司 一种亚阈值SRAM读写辅助电路

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