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【发明公布】麦克风部件及其制作方法_中芯集成电路制造(绍兴)有限公司_202110051575.6 

申请/专利权人:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日:2021-01-15

公开(公告)日:2021-02-19

公开(公告)号:CN112383871A

主分类号:H04R31/00(20060101)

分类号:H04R31/00(20060101);H04R19/04(20060101);H04R19/00(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.05.07#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要:本发明涉及一种麦克风部件及其制作方法,所述制作方法包括提供导电背板、多晶硅振膜、衬底和支撑结构,所述支撑结构设置在衬底上,所述多晶硅振膜和导电背板均设置在支撑结构上,所述衬底具有贯穿的背腔,所述导电背板和多晶硅振膜之间形成牺牲层,刻蚀牺牲层以在导电背板和多晶硅振膜之间形成空腔,形成空腔后对麦克风部件执行氧化处理,以利用紫外线臭氧光解氧化技术在多晶硅振膜的表面上形成氧化硅层。本发明通过在多晶硅振膜的表面形成氧化硅层,提高了麦克风部件在高温高湿环境下的灵敏度稳定性,改善麦克风的性能,同时还能简化退火工艺,降低生产成本。

主权项:1.一种麦克风部件的制作方法,其特征在于,包括:步骤一:提供导电背板、多晶硅振膜、衬底和支撑结构,所述支撑结构设置在所述衬底上,所述多晶硅振膜和所述导电背板均设置在所述支撑结构上,所述衬底具有贯穿的背腔,所述导电背板和所述多晶硅振膜之间形成有牺牲层;步骤二:刻蚀所述牺牲层,以在所述导电背板和所述多晶硅振膜之间形成空腔;步骤三:形成所述空腔后,对所述麦克风部件执行氧化处理,以利用紫外线臭氧光解氧化技术在所述多晶硅振膜的表面上形成氧化硅层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 麦克风部件及其制作方法

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