申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司

申请日：2021-01-15

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN112382572A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/786(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.11.02#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明涉及ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法，在Si衬底片表面生长N型外延层，在外延层表面形成硬掩膜；刻蚀出深沟槽，内填硼硅玻璃BSG；将沟槽内BSG腐蚀至沟槽指定位置，进行第二层氮化硅淀积和厚氧化层淀积；沟槽内回填源极多晶硅并回刻；去除露出的厚氧化层；将沟槽内源极多晶硅刻蚀至沟槽指定位置；形成源极多晶硅氧化层，同时使硼硅玻璃BSG中硼Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱；去除露出的氮氧化物、薄氧化物；形成栅极氧化层,回填栅极多晶硅并回刻，形成器件的栅极；开接触孔和金属布线。本发明在暴露的硼硅玻璃上方淀积了高密度氮化硅，能有效阻止硼在后续的高温炉管工艺过程中析出。

主权项：1.一种ONO屏蔽栅的SGT结构的制造方法，其特征在于：所述SGT的屏蔽栅由ONO包围，所述方法包括以下步骤：步骤一：在Si衬底片表面生长N型外延层；步骤二：在外延层表面依次形成薄氧化层、薄氮化硅、厚氧化层，组成硬掩膜；步骤三：利用沟槽光刻版进行光刻工艺，对沟槽位置曝光，再通过干法刻蚀，将曝光位置刻蚀出深沟槽；步骤四：利用CVD工艺在深沟槽内填满硼硅玻璃，并通过回流工艺使表面平坦化；步骤五：利用干法腐蚀将沟槽内硼硅玻璃腐蚀至沟槽指定位置；步骤六：进行第二层氮化硅淀积；步骤七：进行厚氧化层淀积；步骤八：沟槽内回填源极多晶硅并回刻蚀至沟槽指定位置；步骤九：使用湿法刻蚀将露出的厚氧化层去除；步骤十：使用各向同性刻蚀，再次将沟槽内源极多晶硅刻蚀至沟槽指定位置；步骤十一：使用热氧化工艺形成源极多晶硅氧化层，同时使硼硅玻璃材料中硼扩散至深沟槽外围的Si材料中，形成P柱；步骤十二：使用湿法去除露出的氮氧化物、薄氧化物；步骤十三：使用热氧化工艺形成栅极氧化层,回填栅极多晶硅并回刻蚀至沟槽指定位置，形成器件的栅极；然后与常规MOSFET的制程一样，直到开接触孔和金属布线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 ONO屏蔽栅的SGT结构及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD