【发明公布】一种DDR发送电路_灿芯半导体(上海)有限公司_202110059798.7 

申请/专利权人:灿芯半导体(上海)有限公司

申请日:2021-01-18

发明/设计人:孔亮;陈捷;刘亚东;庄志青

公开(公告)日:2021-02-19

代理机构:上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙)

公开(公告)号:CN112383298A

代理人:倪继祖

主分类号:H03K19/017(20060101)

地址:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1158号礼德国际2号楼6楼

分类号:H03K19/017(20060101);H03K19/0175(20060101);H03K19/0185(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.19#公开

摘要:本发明公开了一种DDR发送电路,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻、同相器、反相器以及用于提供第一电压信号至第三电压信号之间电压的低压器件,所述第一PMOS管的源极接第三电压信号,栅极接所述低压器件的输出端,漏极连接所述第二PMOS管的源极;所述低压器件的三个输入端分别连接所述同相器的输出端、所述第一电压信号和所述第三电压信号;所述同相器的输入端接电平信号;所述第一NMOS管的源极接地,栅极接所述反相器的输出端,漏极接所述第二NMOS管的源极;反相器的输入端接电平信号;第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相接并连接电阻的第一端。采用速度较快的低压器件做主驱动电路及前驱动电路,有效提高工作速度。

主权项:1.一种DDR发送电路,其特征在于,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻、同相器、反相器以及用于提供第一电压信号至第三电压信号之间电压的低压器件,其中,所述第一PMOS管的源极接第三电压信号,栅极接所述低压器件的输出端,漏极连接所述第二PMOS管的源极;所述低压器件的三个输入端分别连接所述同相器的输出端、所述第一电压信号和所述第三电压信号;所述同相器的输入端接电平信号;所述第一NMOS管的源极接地,栅极接所述反相器的输出端,漏极接所述第二NMOS管的源极;所述反相器的输入端接电平信号;所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相接并连接所述电阻的第一端;所述电阻的第二端作为电路输出端。

全文数据:

权利要求:

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