【发明授权】发声装置和耳机_歌尔股份有限公司_201811303539.9 

申请/专利权人:歌尔股份有限公司

申请日:2018-11-02

发明/设计人:郭晓冬;王莹;刘春发

公开(公告)日:2021-02-19

代理机构:北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)

公开(公告)号:CN109327778B

代理人:王昭智;马佑平

主分类号:H04R9/06(20060101)

地址:261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号

分类号:H04R9/06(20060101);H04R9/02(20060101);H04R1/10(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.02.19#授权;2019.03.08#实质审查的生效;2019.02.12#公开

摘要:本发明公开了一种发声装置和耳机。所述发声装置包括:磁路系统,所述磁路系统包括磁轭,所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘;承载框架,所述承载框架的中心形成有镂空,所述承载框架的下端面上形成有定位部;所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方与所述定位部固定连接。本发明的一个技术效果在于,能够降低支撑框架占用的空间。

主权项:1.一种发声装置,其特征在于,包括:磁路系统,所述磁路系统包括磁轭,所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘;承载框架,所述承载框架的中心形成有镂空,所述承载框架的下端面上形成有定位部;所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方与所述定位部固定连接;所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中;所述磁轭的侧壁和底壁暴露在所述承载框架外;所述凸缘的顶面与所述磁轭的侧壁的顶面齐平;所述承载框架为塑料材料,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构;所述热熔结构与所述凸缘热熔固定连接;所述热熔结构位于所述定位凹槽中,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中;所述镂空的形状与所述磁轭的外形相匹配,所述磁轭的上端嵌于所述镂空中,所述磁轭嵌入所述镂空的深度相当于所述定位凹槽的深度;所述定位凹槽的深度小于或等于所述承载框架的厚度的二分之一,所述凸缘的厚度小于或等于所述定位凹槽的深度。

全文数据:发声装置和耳机技术领域本发明属于电声换能技术领域,具体地,涉及一种发声装置。背景技术近年来,消费类电子产品的得到快速发展,智能手机、VR设备等电子设备得到消费者的认可,得到了广泛的应用。本领域技术人员对相关的配套产品如耳机等也相应进行了改进,以满足电子产品的性能要求,满足消费者对产品性能的需要。发声装置是消费类电子产品中重要的电声换能部件,其作为扬声器、听筒、耳机等得到广泛的应用。随着电子产品的性能改进,有关发声装置的声学性能的改进也是必然的趋势。为了满足更好的声学性能,发声装置往往需要配置体积更大、电磁驱动力更强的磁路系统。但是,以应用在耳机等电子产品上的发声装置为例,磁路系统外围设置有提供承载、固定连接作用的塑胶材料的外壳,外壳包围在所述磁路系统周围,外壳占据了一部分空间,导致在产品体积有限的情况下无法设计体积更大的磁路系统。发明内容本发明的一个目的是提供一种发声装置的新技术方案。根据本发明的第一方面,提供了一种发声装置,包括:磁路系统,所述磁路系统包括磁轭,所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘;承载框架,所述承载框架的中心形成有镂空,所述承载框架的下端面上形成有定位部;所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方与所述定位部固定连接。可选地,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。可选地,所述承载框架为塑料材料,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构;所述热熔结构与所述凸缘热熔固定连接。可选地,所述定位部还包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述热熔结构位于所述定位凹槽中,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中;所述镂空的形状与所述磁轭的外形相匹配,所述磁轭的上端嵌于所述镂空中,所述磁轭嵌入所述镂空的深度相当于所述定位凹槽的深度。可选地,所述热熔结构位于所述定位凹槽的远离所述镂空的边缘处。可选地,所述定位凹槽的深度小于或等于所述承载框架的厚度的二分之一,所述凸缘的厚度小于或等于所述定位凹槽的深度。可选地,所述凸缘的端部形成有向内凹陷的缺口,所述热熔结构为与所述承载框架一体注塑形成的热熔柱,所述热熔柱位于所述缺口中,所述凸缘通过将热熔柱热熔后固定在所述承载框架上。可选地,所述缺口为弧形缺口,所述热熔柱朝向所述缺口的一面为弧形面。可选地,所述磁轭上形成有至少两个所述凸缘,各个所述凸缘相对于所述磁轭的中心以旋转对称或中心对称的形式分布,所述承载框架上对应每一个所述凸缘形成有一个所述热熔结构。可选地,所述磁轭上形成有四个所述凸缘,相邻的两个所述凸缘相对于所述磁轭的中心呈90度旋转对称。可选地,所述镂空呈圆孔状,所述镂空呈圆孔状,所述磁轭呈圆柱筒形包括底壁和圆环形的侧壁。可选地,所述凸缘的顶面与所述侧壁的顶面齐平。可选地,所述磁轭和所述凸缘一体冲压成型。可选地,所述磁路系统还包括中心磁部,所述中心磁部设置在所述磁轭中,所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板,所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间形成有磁间隙;所述发声装置还包括振动组件,所述振动组件包括振膜和音圈,所述音圈连接在所述振膜的一侧,所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上,所述音圈伸入所述磁间隙中。可选地,还包括导电柱,所述磁路系统的中心形成有通孔,所述导电柱从所述磁轭的底部插入所述通孔并穿过所述磁路系统,所述导电柱的顶端形成有两个第一电连接点,所述导电柱的底端形成两个第二电连接点,两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接;所述音圈环绕与所述导电柱周围,所述音圈内侧引出有引线,所述引线连接在所述第一电连接点上。可选地,所述导电柱包括纵向截面呈倒T型的塑料本体部,所述塑料本体部包括芯柱和连接于芯柱底部的支撑部,所述芯柱穿过所述磁路系统的通孔,所述支撑部覆于所述磁路系统的底面上;所述导电柱还包括注塑于所述塑料本体部中的两个金属件,所述金属件包括平行的第一端部和第二端部,以及连接第一端部和第二端部的中间部,所述第一端部露出所述芯柱的顶面形成第一电连接点,所述第二端部露出所述支撑部的底面形成第二电连接点。可选地,所述导电柱的上端面低于所述音圈的上端面,所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2,所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述发声装置的外周的直径为第三直径D3,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。本发明的另一方面还提供了一种耳机,该耳机中设置有上述发声装置。根据本公开的一个实施例,所述磁路系统的磁轭暴露在外,所述承载框架不对所述磁轭形成包围的装配关系,节省了空间。通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。图1是本发明提供的发声装置的部分部件的爆炸示意图;图2是本发明提供的发声装置的轴测图;图3是本发明提供的发声装置的侧面剖视图;图4是本发明提供的发声装置的轴测剖视图;图5是本发明提供的发声装置的仰视图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本发明提供了一种发声装置,如图1所示,所述发声装置至少包括磁路系统和承载框架2。所述磁路系统用于为发声装置的振动提供电磁驱动作用力。所述承载框架2则用于为磁路系统以及发声装置的其它部件提供支撑、定位的作用,使各个部件固定连接成一个整体的装置。如图1-3所示,所述磁路系统包括磁轭11,所述磁轭11具有侧壁和底壁,磁轭11围合形成了一个能够承载其它部件的容纳空间。所述磁轭11的侧壁向上延伸一定高度,在所述磁轭11的顶部边缘处,形成有向磁轭11的外侧延伸的若干个凸缘111。如图1所示,所述凸缘111从所述侧壁的顶部向侧壁的外围延伸。所述凸缘111用于与所述承载框架2形成固定连接。可选地,所述磁轭11与所述凸缘111为一体冲压成型的部件。一体冲压成型的结构可靠性高,而且更便于进行装配。如图1-3所示,所述承载框架2呈环状结构,其中心形成有镂空22,所述承载框架2的下端面21上形成有定位部。所述承载框架2中心镂空22的区域用于放置发声装置的其它部件。所述磁轭11从所述承载框架2的下端面21的一侧设置于所述镂空22处。所述凸缘111在水平方向上延伸至所述承载框架2的下方与所述定位部的位置对应,两者形成固定连接,以使所述磁路系统与承载框架固定连接。凸缘111设置断续的若干个,可以与承载框架2底面的定位部例如凹槽结构等,形成XY平面上的定位,避免磁轭11相对于承载框架2产生转动,并且通过对两者之间进行粘接、焊接、热熔固定等方式实现Z方向的定位,避免磁轭11相对于承载框架2产生轴向位移,最终实现磁轭11与承载框架2之间的牢固装配。如图1-3所示,本发明将承载框架2设计成环状结构,取消了其用于包围磁路系统的侧壁和底壁。可见,所述磁轭11的侧壁和底壁可以直接暴露在外。通过这种设计,承载框架省略的结构使其减少了占据的空间。节省的空间可以供所述磁轭以及整个磁路系统占用,从而配置体积更大、磁场更强的磁路系统。在承载框架与磁轭的连接部分,本发明采用凸缘与固定部连接的方式。本发明将所述凸缘设计在所述磁轭的顶部,并且所述固定部设置在所述承载框架的下端面上。通过这种设计方式,所述磁轭只有靠近顶部的区域所述承载框架的底部之间配合连接,大幅降低了两者重合、相互包围的部分,从而降低因两者重叠而占用的空间,提高了发声装置的空间利用率,更便于给发声装置配置体积更大的磁路系统。优选地,如图1、2所示,所述定位部包括形成于所述承载框架2的下端面21上形成有定位凹槽212,所述定位凹槽212从所述承载框架2的下端面21向上凹陷一段距离。并且,所述定位槽沿着所述下端面21的表面延伸,一直延伸至所述镂空22处。即,如图1、2所示,延伸到镂空22的边缘。所述磁轭11与所述承载框架2相互装配后,如图2、4所示,所述凸缘111嵌于所述定位凹槽212中。通过配置所述定位槽,能够提高所述承载框架2与磁轭之间的定位准确性。另一种可选的实施方式为,如图1、2所示,所述承载框架为塑料材料,所述定位部包括形成于所述承载框架2的下端面21上的热熔结构211。所述磁路系统与承载框架2装配在一起时,所述凸缘111处在与所述热熔结构211相对应的位置,凸缘111可以与热熔结构211接触。在所述发声装置的成品器件上,所述热熔结构211经过热熔处理,其热熔覆盖在所述凸缘111上,与所述凸缘111形成固定连接。凸缘与热熔结构通过热熔连接的方式实现可靠的固定连接,保证发声装置的结构可靠性。优选地,所述承载框架为塑料材料,所述定位部可以包括所述热熔结构211以及上述定位凹槽212,如图1、2所示。所述热熔结构211位于所述定位凹槽212中,所述凸缘111嵌于所述定位凹槽212中,并与定位凹槽212中的热熔结构211热熔固定连接。该优选实施方式中,一方面,定位凹槽212与凸缘111的配合方式能够提高承载框架2与磁路系统的定位准确性。另一方面,在对热熔结构211进行热熔处理时,所述热熔结构211可以流入所述定位凹槽212内,并包裹在所述凸缘111周围,从而提高承载框架2与磁轭之间的固定连接可靠性。进一步地,通过所述定位槽收容热熔结构,能够避免热熔结构的至少一部分结构热熔溶化后,流淌到远离凸缘的位置,防止由于热熔结构流淌导致的产品外形出现瑕疵等问题。进一步地,在所述承载框架的下端面上形成有定位凹槽的实施方式中,由于所述凸缘会向定位凹槽212中嵌入相当于定位凹槽212深度的距离,所以,所述磁轭的侧壁的端部会更靠近与所述镂空22处。如果所述凸缘111自身平齐于所述磁轭11的侧壁的顶部,或者略微低于所述磁轭11的侧壁的顶部,则所述磁轭11的侧壁的顶部会嵌于所述镂空22处,如图3、4所示。在这种实施方式中,磁轭11与承载框架2之间的定位准确性和密封性都能够得到提高。而且,由于本发明的采用凸缘与承载框架的下端面配合的技术特点,并且取消了承载框架上由于包封磁轭的结构,因此,即使所述磁轭的侧壁的顶部向所述镂空处嵌入一小段距离,也不会造成承载框架与磁轭之间有过多的重叠部分、占用过多空间的情况。在本发明的设计中,仍然有足够的空间用于增大磁路系统的体积。可选地,所述凸缘自身平齐于所述磁轭的侧壁的顶部,所述磁轭嵌入到所述镂空处的深度相当于所述定位槽的深度。可选地,如图1、4所示,所述热熔结构211位于所述定位凹槽212的远离所述镂空22的一侧边缘处。所述热熔结构211可以直接贴在上述边缘上,也可以是靠近该侧边缘的形式,距离该侧边缘有小段距离。这种设计方式一方面能够更便捷的使凸缘完整的嵌于所述定位凹槽中,另一方面能够使热熔结构在溶化后,更顺畅的沿着所述定位凹槽向靠近所述镂空的区域延伸,从而覆盖、包裹在整个所述凸缘上。优选地,所述定位凹槽的深度小于或等于所述承载框架2的厚度的二分之一,如图3所示。如果所述定位凹槽212的深度过深,会降低承载框架2在此处的结构强度。本发明上述对定位凹槽的深度限定范围是优选的范围,定位凹槽在该范围内通常不会造成所述承载框架的结构强度受损。本发明并不对此进行严格限制,在实际应用中,还可以根据承载框架的实际结构强度以及凸缘的实际厚度对所述定位凹槽的深度进行设计。优选地,所述凸缘111的厚度小于或等于所述定位凹槽212的深度,如图4所示。所述凸缘111的厚度与所述定位凹槽212的深度之间的配合关系会影响到承载框架2与磁轭11之间的连接强度。在这种优选的实施方式中,凸缘的下表面能够向凹槽内沉入,或者齐平于承载框架的下端面,这种设计方式更便于热熔结构溶化后覆盖在所述凸缘上,使凸缘被埋入所述定位凹槽内,提高连接可靠性。本发明并不限制所述凸缘的厚度必须小于或等于所述定位凹槽的深度。可选地,如图1、5所示,所述凸缘111的端部形成有向内凹陷的缺口1111,所述热熔结构211可选为与所述承载框架2一体注塑形成的热熔柱。在所述磁轭11与承载框架2装配在一起后,所述热熔结构211柱位于所述缺口1111中。凸缘111通过将热熔柱热熔后固定在所述承载框架2上。通过这种设计,所述凸缘与热熔结构之间能够提高定位精确度,从而提高磁轭与承载框架之间的定位精度;也能够提高热熔结构与凸缘的熔融连接可靠性。可选地,所述缺口1111为弧形缺口,如图1所示。上述热熔柱的朝向所述缺口1111的一面为弧形面。热熔柱可以呈圆柱形或椭圆柱形结构。优选地,所述缺口1111与所述热熔结构211的形状相互匹配。如图5所示,上述形状匹配的设计方式可以达到更好的定位、固定连接效果。可选地,所述磁轭上至少形成有两个所述凸缘,各个凸缘相对于所述磁轭的中心以旋转对称或中心对称的形式分布在磁轭的侧壁的顶端上。相应地,所述承载框架上对应每一个所述凸缘形成有一个所述热熔结构,以便于凸缘形成热熔连接。这种设计方式能够提高磁轭连接在承载框架上的平衡性和连接可靠性。在如图5所示的实施方式中,所述磁轭11上形成有四个所述凸缘111,承载框架2上也形成有四个热熔结构211和定位凹槽212。四个所述凸缘111相对于磁轭11的中心呈间距90度旋转对称的形式。四个凸缘111均匀分布在所述磁轭11的四周,能够有效提高固定连接的稳定性。在其它实施方式中,对于所述凸缘和热熔结构,也可以采用三个分别相距120度等其它分布方式和数量,以满足性能要求,本发明不对此进行限制。可选地,如图1所示,所述镂空22呈圆孔状,所述磁轭11相应的呈圆柱筒形结构。所述磁轭包括圆形的底壁和呈圆环形的侧壁。两者的外形相互匹配,以提高磁轭11与承载框架2之间的结构匹配程度。例如,所述镂空和磁轭还可以呈椭圆形结构,本发明不对此进行限制。优选地,所述凸缘111的顶面与所述磁轭11的侧壁的顶面齐平,如图4所示。这种设计能够减小支撑框架在磁轭的高度方向上对磁轭的包围范围,而且磁轭的结构设计简单,定位更便捷。可选地,所述磁路系统还可以包括中心磁部12,如图3、4所示。所述中心磁部12设置在由所述磁轭11围合形成的空间中。所述中心磁部12包括堆叠设置的磁铁和导磁板。所述中心磁部12与所述磁轭11的侧壁之间留有一定间隙,该间隙为能够产生磁场的磁间隙100,用于驱动发声装置的振动组件振动。发声装置还包括了上述振动组件,所述振动组件至少包括振膜和音圈两个部件。所述音圈连接在所述振膜的一侧表面上,所述音圈用于接收声音信号产生振动,所述振膜则在音圈的带动下振动进而发声。所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面23上,所述音圈则通过所述振膜悬于所述磁间隙内。优选地,所述发声装置还可以包括导电柱3,所述导电柱3中形成有用于导通声音信号的电路。所述磁路系统的中心形成有通孔,所述导电柱3从所述磁轭11的底部插入所述通孔,并从所述磁路系统中穿过,伸至所述磁路系统的上方,如图3、4所示。所述音圈环绕在所述导电柱3周围,音圈上引出有用于导通信号的两支引线。相应的,所述导电柱3的顶端形成有两个第一电连接点,两支所述引线从所述音圈上向中间的导电柱3延伸,并分别连接在两个所述第一电连接点上。所述引线通过导电柱3接收外界输入的声音信号。通过这种设计方式,一方面能够减小音圈及引线占用的空间,而且能够从音圈内侧提高音圈的振动稳定性,降低音圈发生偏振的可能性。另一方面,在所述磁路系统中间设置导电柱,既不会影响磁路系统的性能,又可以充分利用磁路系统所占据的较大空间。进一步地,所述导电柱3的底端可以形成有两个第二电连接点。两个所述第二电连接点被配置为用于与外部设备形成电连接,以将声音信号从外部电子设备引入至发声装置中。两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接。在实际应用中,本发明提供的发声装置需要装配到其它电子设备中,例如装配到手机、耳机、小型扬声器等设备上。所以发声装置通常需要从其它设备上接收声音信号再将声音信号转化成声音。通过在所述导电柱的底端设置第二电连接点,能够将外部设备上的声音信号导入所述导电柱内。由于两个第二电连接点分别与两个第一电连接点形成电连接,所以声音信号能够经第二电连接点、第一电连接点传输至所述引线上。该实施方式的另一个优点在于,第二电连接点形成在导电柱的底端,而所述通孔贯通所述磁路系统,因此在将第二电连接点与外部设备电连接时,能够方便的从磁路系统的底部配置电连接件,进而与第二电连接点连接。这种设计方式便于实现电连接,也与发声装置装配到外部设备上的方式契合度更高。对于所述导电柱的具体结构,本发明提供了一种具体实施方式。如图3、4所示,所述导电柱包括塑料本体部,所述塑料本体部作为所述导电柱的主体结构,其侧面呈倒T型结构。所述塑料本体部包括芯柱和连接于所述芯柱底部的支撑部。所述芯柱穿过所述磁路系统的通孔,所述支撑部覆于所述磁路系统的底面上。导电柱还包括两个金属件,两个所述金属件注塑固定在所述塑料本体部内。所述金属件上具有第一端部、第二端部和中间部。同一个金属件上的第一端部与第二端部可以呈相对平行的姿态,所述中间部连接在所述第一端部与第二端部之间。所述第一端部用于构成上述第一电连接点,所述第二端部则用于构成所述第二电连接点。所述第一端部可以从所述芯柱的顶面上露出,所述第二端部则从所述支撑部的底面上露出。这种配置方式便于引线以及外部设备通过所述金属件实现信号导通。而且,金属件的中间部注塑在塑料本体部内部,不易与发声装置内的其它导电、导磁部件发生相互干扰。导电柱的上端面与音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,磁路系统的中心磁部的上端面与音圈的上端面的距离为第二距离L2。所述第一距离L1指沿着导电柱的轴向,导电柱的上端面距离音圈的上端面的竖直距离。所述第二距离L2指沿着音圈的轴向,所述磁路系统的中心磁部距离音圈的上端面的竖直距离。可选地,所述导电柱的上端面齐平于或者低于所述音圈的上端面,即所述第一距离L1大于或等于0。导电柱的上端面较低,能够有效避免振膜与导电柱之间发生碰撞,防止振膜振动时因与导电柱发生碰撞而引起杂音。优选地,第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。如果导电柱的上端面低于音圈的上端面的距离过大,则会造成音圈的引线容易与磁路系统的中心磁部发生碰撞,产生碰撞声音。一方面,产生的杂音会降低发声装置的音质,另一方面,也会存在造成音圈引线断线的风险。优选地,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2。优选地,所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。所述磁路系统的靠近磁间隙的部分是对产生电磁作用力贡献最大的部分,所述通孔的位置远离所述磁间隙。因此,在磁路系统的远离磁间隙的中心部位开设通孔并放置导电柱,能够有效避免磁路系统的结构损失对产生电磁场造成的影响。优选地,导电柱在工艺可控范围尽可能缩小第二直径D2。在D2≤0.32*D1的范围内能够避免对产生电磁场的强度造成实质性的负面影响,灵敏度损失在0.2dB以下。发声装置的外周的直径为第三直径D3。在本发明的优选实施方式中,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。在现有技术中,位于磁路系统外围的框架、壳体上注塑有用于电连接的焊盘的电路器件,占据了磁路系统外围的较大空间。在发声装置整体的空间有限的情况下,导致留给磁路系统自身的可用空间较小。本发明利用设置于磁路系统中心的导电柱将音圈与外部电连接,磁路系统的外围无需再设置其它电连接,从而在磁路系统的外围节省了空间。相对于现有技术,可以将磁路系统的尺寸设计的更大,提高磁路系统的性能。优选地,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。可选地,所述第一直径D1与第三直径D3的比值为0.75。本发明还提供了一种耳机产品,该耳机中配置有上述发声装置。在耳机产品内有限的空间中,采用本发明设计的发声装置能够更有效的利用空间,配置体积更大的磁路系统,以增强发声装置的声学性能,进而满足耳机的性能要求。虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

权利要求:1.一种发声装置,其特征在于,包括:磁路系统,所述磁路系统包括磁轭,所述磁轭的顶部边缘处形成有向磁轭外围延伸的若干个凸缘;承载框架,所述承载框架的中心形成有镂空,所述承载框架的下端面上形成有定位部;所述磁轭从所述承载框架的下端面一侧定位设置于所述镂空处,所述凸缘在水平方向上延伸至所述承载框架的下方与所述定位部固定连接。2.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中。3.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述承载框架为塑料材料,所述定位部包括形成于所述承载框架的下端面上的热熔结构;所述热熔结构与所述凸缘热熔固定连接。4.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述定位部还包括形成于所述承载框架的下端面上的定位凹槽,所述定位凹槽延伸至所述镂空处,所述热熔结构位于所述定位凹槽中,所述凸缘嵌于所述定位凹槽中;所述镂空的形状与所述磁轭的外形相匹配,所述磁轭的上端嵌于所述镂空中,所述磁轭嵌入所述镂空的深度相当于所述定位凹槽的深度。5.根据权利要求4所述的发声装置,其特征在于,所述热熔结构位于所述定位凹槽的远离所述镂空的边缘处。6.根据权利要求4所述的发声装置,其特征在于,所述定位凹槽的深度小于或等于所述承载框架的厚度的二分之一,所述凸缘的厚度小于或等于所述定位凹槽的深度。7.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述凸缘的端部形成有向内凹陷的缺口,所述热熔结构为与所述承载框架一体注塑形成的热熔柱,所述热熔柱位于所述缺口中,所述凸缘通过将热熔柱热熔后固定在所述承载框架上。8.根据权利要求7所述的发声装置,其特征在于,所述缺口为弧形缺口,所述热熔柱朝向所述缺口的一面为弧形面。9.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述磁轭上形成有至少两个所述凸缘,各个所述凸缘相对于所述磁轭的中心以旋转对称或中心对称的形式分布,所述承载框架上对应每一个所述凸缘形成有一个所述热熔结构。10.根据权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述磁轭上形成有四个所述凸缘,相邻的两个所述凸缘相对于所述磁轭的中心呈90度旋转对称。11.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述镂空呈圆孔状,所述磁轭呈圆柱筒形包括底壁和圆环形的侧壁。12.根据权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述凸缘的顶面与所述侧壁的顶面齐平。13.根据权利要求1-12任意之一所述的发声装置,其特征在于,所述磁轭和所述凸缘一体冲压成型。14.根据权利要求1-12任意之一所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统还包括中心磁部,所述中心磁部设置在所述磁轭中,所述中心磁部包括堆叠设置的磁铁和导磁板,所述中心磁部与所述磁轭的侧壁之间形成有磁间隙;所述发声装置还包括振动组件,所述振动组件包括振膜和音圈,所述音圈连接在所述振膜的一侧,所述振膜的边缘固定连接在所述承载框架的上端面上,所述音圈伸入所述磁间隙中。15.根据权利要求14所述的发声装置,其特征在于,还包括导电柱,所述磁路系统的中心形成有通孔,所述导电柱从所述磁轭的底部插入所述通孔并穿过所述磁路系统,所述导电柱的顶端形成有两个第一电连接点,所述导电柱的底端形成两个第二电连接点,两个所述第二电连接点分别与两个所述第一电连接点形成电连接;所述音圈环绕与所述导电柱周围,所述音圈内侧引出有引线,所述引线连接在所述第一电连接点上。16.根据权利要求15所述的发声装置,其特征在于,所述导电柱包括侧面呈倒T型的塑料本体部,所述塑料本体部包括芯柱和连接于芯柱底部的支撑部,所述芯柱穿过所述磁路系统的通孔,所述支撑部覆于所述磁路系统的底面上;所述导电柱还包括注塑于所述塑料本体部中的两个金属件,所述金属件包括平行的第一端部和第二端部,以及连接第一端部和第二端部的中间部,所述第一端部露出所述芯柱的顶面形成第一电连接点,所述第二端部露出所述支撑部的底面形成第二电连接点。17.根据权利要求15所述的发声装置,其特征在于,所述导电柱的上端面齐平于或低于所述音圈的上端面,所述导电柱的上端面与所述音圈的上端面之间的距离为第一距离L1,所述磁路系统的中心磁部的上端面与所述音圈的上端面的距离为第二距离L2,所述第一距离L1大于或等于0,所述第一距离L1小于或等于0.3倍的第二距离L2。18.根据权利要求15所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述导电柱的位于所述通孔中的部分的直径为第二直径D2,所述第二直径D2小于或等于0.32倍的第一直径D1。19.根据权利要求15所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统的外周的直径为第一直径D1,所述发声装置的外周的直径为第三直径D3,所述第一直径D1与第三直径D3的比值大于或等于0.65。20.一种耳机,其特征在于,所述耳机中设置有权利要求1-19任意之一所述的发声装置。

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