申请/专利权人：昭和电工株式会社

申请日：2019-07-26

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN110875063B

主分类号：G11B5/48(20060101)

分类号：G11B5/48(20060101);G11B5/66(20060101)

优先权：["20180829 JP 2018-160219"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权;2020.04.03#实质审查的生效;2020.03.10#公开

摘要：提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。

主权项：1.一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述磁性层从所述基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN，所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内，所述第一磁性层的所述C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内，所述第一磁性层和所述第二磁性层的所述SiO2相对于所述BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内，所述第二磁性层的所述SiO2的体积分数比所述第一磁性层的所述SiO2的体积分数大5体积％以上，所述第二磁性层的所述BN的体积分数比所述第一磁性层的所述BN的体积分数小2体积％以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昭和电工株式会社 热辅助磁记录介质和磁存储装置

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