申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2019-11-22

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN110911484B

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L21/306(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：本发明公开了一种湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaNHEMT器件及其制备方法，所述器件包括包括从下到上依次排布的硅基、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成p型AlGaN掺杂层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN掺杂层的上表面具有氧化镁保护层，氧化镁保护层的上表面接触有栅极。利用热的磷酸溶液对光刻栅极区域AlGaN势垒层表面进行腐蚀处理，引入大量的表面态缺陷，提高镁原子的扩散效率，更加容易实现AlGaN势垒层的P型掺杂，该方法具有腐蚀损伤小、辅助掺杂效率高、器件漏电低的优点，对于实现低漏电增强型GaNHEMT器件具有重要意义。

主权项：1.一种湿法腐蚀辅助掺杂制备增强型GaNHEMT器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在硅基GaN外延片的AlGaN势垒层上光刻，制备出栅电极接触窗口区域，得到含栅电极接触窗口的器件；（2）对步骤（1）所述栅电极接触窗口区域进行湿法腐蚀处理，制备出腐蚀处理后的光刻接触窗口区域，得到腐蚀处理的器件；（3）在步骤（2）所述腐蚀处理的光刻接触窗口区域蒸镀金属镁，得到含金属镁的器件；（4）对步骤（3）所述含金属镁的器件上未曝光的光刻胶进行剥离处理，得到剥离处理后的器件；（5）对步骤（4）所述剥离处理后的器件进行热掺杂处理，制备出P型AlGaN掺杂层，得到热掺杂处理后的器件；（6）在步骤（5）所述热掺杂处理后的器件上进行热氧化处理，得到氧化镁保护层后的器件；（7）在步骤（6）所述热氧化处理后的器件中的AlGaN势垒层上光刻，然后制备源电极、漏电极以及栅电极，得到所述湿法腐蚀辅助掺杂制备增强型的GaNHEMT器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaN HEMT器件及制备方法

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