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【发明授权】错误检测码生成电路_三星电子株式会社_201911179754.7 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2017-12-01

公开(公告)日:2021-02-19

公开(公告)号:CN110995289B

主分类号:H03M13/29(20060101)

分类号:H03M13/29(20060101);H03M13/09(20060101);G06F11/10(20060101)

优先权:["20161202 KR 10-2016-0163223"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.02.19#授权;2020.05.05#实质审查的生效;2020.04.10#公开

摘要:一种半导体设备的错误检测码生成电路包括第一循环冗余校验CRC引擎、第二CRC引擎和输出选择引擎。第一CRC引擎响应于模式信号,基于多个第一单位数据和第一DBI位,使用第一生成矩阵来生成第一错误检测码位。第二CRC引擎响应于模式信号,基于多个第二单位数据和第二DBI位,使用第二生成矩阵来生成第二错误检测码位。输出选择引擎响应于模式信号,通过合并第一错误检测码位和第二错误检测码位来生成最终错误检测码位。第一生成矩阵与第二生成矩阵相同。

主权项:1.一种用于半导体存储器设备的错误检测码生成电路,所述错误检测码生成电路包括:第一循环冗余校验CRC引擎,被配置为接收第一单位数据并且基于所述第一单位数据生成第一错误检测码位;第二CRC引擎,被配置为接收第二单位数据并且基于所述第二单位数据生成第二错误检测码位;复用器,被配置为响应于模式信号选择所述第二错误检测码位的最高有效位和所述第二错误检测码位的最高有效位的反转版本之一,其中,所述第二错误检测码位的最高有效位的反转版本是通过反转生成矩阵中用于生成第二错误检测码位的最高有效位的行的矩阵元素生成的;以及XOR电路,被配置为接收第一错误检测码位和第二错误检测码位,并通过执行异或函数来将第二错误检测码位的最高有效位和第二错误检测码位的最高有效位的反转版本中被选择的一个、第一错误检测码位以及剩余的第二错误检测码位合并为最终错误检测码位,其中,响应于第一电平的模式信号以全速率模式输出第一错误检测码位和第二错误检测码位,以及响应于第二电平的模式信号以半速率模式输出最终错误检测码位。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 错误检测码生成电路

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