申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-05-29

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN212570997U

主分类号：H01L27/105(20060101)

分类号：H01L27/105(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权

摘要：本实用新型公开了一种半导体存储器件，包括一半导体基板、字线结构，位在所述半导体基板中、位线结构，位在所述字线结构之上并跨过所述字线结构、间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接，所述存储节点接触结构突出于所述位线结构与所述间隔物结构的顶面上的部位为接触垫、以及接触垫隔离结构，位于所述间隔物结构上方以及所述位线结构上方并介于所述接触垫之间，其中所述接触垫隔离结构包含氮化硅材质的外层以及氧化硅材质的内层。

主权项：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：一半导体基板；字线结构，位在所述半导体基板中并往第一方向延伸；位线结构，位在所述字线结构之上并往第二方向延伸跨过所述字线结构；间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间；存储节点接触结构，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接，所述存储节点接触结构突出于所述位线结构与所述间隔物结构的顶面上的部位为接触垫；以及接触垫隔离结构，位于所述间隔物结构上方以及所述位线结构上方并介于所述接触垫之间，其中所述接触垫隔离结构包含氮化硅材质的外层以及氧化硅材质的内层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体存储器件

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