申请/专利权人:天津大学青岛海洋技术研究院
申请日:2019-08-13
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112398476A
主分类号:H03M1/12(20060101)
分类号:H03M1/12(20060101);H03K5/24(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.04.07#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:一种具有低延迟失真特性的低功耗比较器,该比较器采用全差分结构,具有共模节点和虚拟地,有利于减小比较器的延迟失真。该比较器偏置级采用电流镜结构,可以有效的限制通过输入级的电流,限制比较器功耗。该比较器由10个MOSFET晶体管M1~M10组成,其中M1、M3、M5、M7、M9为P型MOSFET,M2、M4、M6、M8、M10为N型MOSFET。该比较器有效实现高转换精度。保证ADC产生的二元组,即用于记录数字信号的数据和用于产生数字信号的时间戳的精度,进而扩大ADC的使用场合。
主权项:1.一种具有低延迟失真特性的低功耗比较器,其特征在于:由10个MOSFET晶体管M1~M10组成,其中M1、M3、M5、M7、M9为P型MOSFET,M2、M4、M6、M8、M10为N型MOSFET;M5源极、M9源极均与电源VDD相连,M5栅极与M9栅极相连,M5漏极与M1、M3的源极相连;M3的漏极与M4的漏极相连并作为比较器的正输出端Voutp,M3的栅极与M4的栅极相连并作为比较器的负输入端Vinn;M4的源极与M2的漏极均与M6的漏极相连;M1的漏极与M2的漏极相连并作为比较器的负输出端Voutn,M1的栅极与M2的栅极相连并作为比较器的正输入端Vinp;M6源极与M10源极均与GND相连,M6、M10、M9、M5的栅极均相连;M7的漏极与M8漏极相连并与M6、M10、M9、M5的栅极相连;M7和M8的栅极相连并与比较器的共模电压VCM相连。
全文数据:
权利要求:
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