申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-08-13
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397442A
主分类号:H01L21/768(20060101)
分类号:H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/532(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明提供一种半导体器件及其形成方法,其形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有层间介质层;刻蚀所述层间介质层形成接触孔,所述接触孔暴露出所述基底表面;在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成金属层,且所述金属层填充满所述接触孔。本发明利用阻挡层中的离子能够较好地吸附这种电负性较大的离子,因此阻挡层能够起到有效地阻挡电负性较大的离子发生扩散,从而避免电负性较大的离子扩散,减少对半导体器件造成损伤,从而使得形成的半导体器件的性能得到提高。
主权项:1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有层间介质层;刻蚀所述层间介质层形成接触孔,所述接触孔暴露出所述基底的表面;在所述接触孔内的所述基底上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成金属层,且所述金属层填充满所述接触孔。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。