申请/专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司

申请日：2019-08-13

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397638A

主分类号：H01L43/06(20060101)

分类号：H01L43/06(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.07#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明公开了一种存储单元及其制备方法、存储器。其中，该存储单元包括：自旋霍尔效应层，自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，凸起部具有凸起连接面，本体具有本体连接面，凸起连接面与本体连接面连接；磁隧道结，设置在自旋霍尔效应层，磁隧道结包括自由层，自由层设置在自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分凸起连接面；电极，设置在磁隧道结远离自旋霍尔效应层表面上，其中，凸起连接面与本体连接面的自由层磁化方向不相同，在本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。本发明解决了相关技术中存储器需要外部磁场破坏空间反演对称性，才能实现磁矩翻转，操作复杂且功耗较大的技术问题。

主权项：1.一种存储单元，其特征在于，至少包括：自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，所述凸起部具有凸起连接面，所述本体具有本体连接面，所述凸起连接面与所述本体连接面连接；磁隧道结，设置在所述自旋霍尔效应层，所述磁隧道结包括自由层，所述自由层设置在所述自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分所述凸起连接面；电极，设置在所述磁隧道结远离所述自旋霍尔效应层表面上，其中，所述凸起连接面与所述本体连接面的自由层磁化方向不相同，在所述本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 存储单元及其制备方法、存储器

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