申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-08-14
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112394613A
主分类号:G03F1/72(20120101)
分类号:G03F1/72(20120101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明公开了一种掩膜板缺陷的修复方法,对掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。本发明通过在缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层,能够在掩膜板的缺陷区域的周侧形成光晕以对基底形成保护,由此可以防止在聚焦离子束进行缺陷区域修复的时候在基底上形成离子层。相比于现有技术中,需要进行多次刻蚀以去除缺陷周围的离子层的方法,本申请提供的掩膜板缺陷的修复方法步骤更少,耗时更短。由于沉积了光晕材料层来保护缺陷区域周侧的基底,在进行缺陷修复的时候,可以任意设置参数,离子束修复工具的质量不会对修复质量造成太大影响,从而掩膜板修复的效果更好。
主权项:1.一种掩膜板缺陷的修复方法,其特征在于,对所述掩膜板的缺陷区域进行修复填充处理之前,在所述缺陷区域周侧的基底上沉积光晕材料层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种掩膜板缺陷的修复方法
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