申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-08-14

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397582A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/417(20060101);H01L21/335(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含第一III‑V族化合物层，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，其中浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽设置于第二III‑V族化合物层中，第一深凹槽和第二深凹槽分别位于浅凹槽的两侧，源极电极填入第一深凹槽并且接触第一III‑V族化合物层的上表面，漏极电极填入第二深凹槽并且接触第一III‑V族化合物层的上表面，其中源极电极和漏极电极的形状相异，栅极电极设置浅凹槽的正上方。

主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：第一III-V族化合物层；第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同；浅凹槽、第一深凹槽和第二深凹槽，设置于该第二III-V族化合物层中，其中该第一深凹槽和该第二深凹槽分别位于该浅凹槽的两侧；源极电极，填入该第一深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的一上表面；漏极电极，填入该第二深凹槽并且接触该第一III-V族化合物层的该上表面，其中该源极电极和该漏极电极的形状相异；以及栅极电极，设置于该浅凹槽的正上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法

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