申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-08-14

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397451A

主分类号：H01L21/8234(20060101)

分类号：H01L21/8234(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括多个相邻的器件单元区的基底，基底上形成有横跨多个器件单元区的初始器件栅极结构；刻蚀相邻器件单元区交界处的部分厚初始器件栅极结构，形成顶部开口；在顶部开口侧壁上形成侧墙层；刻蚀侧墙层露出的剩余初始器件栅极结构，在剩余初始器件栅极结构内形成露出基底的底部开口，且剩余初始器件栅极结构作为器件栅极结构；在顶部开口和底部开口内形成隔离结构。侧墙层用于调节底部开口的宽度，使底部开口宽度小于顶部开口宽度，因此能够适当增大顶部开口宽度，以增大形成顶部开口的工艺窗口，从而使相邻器件单元区较好地实现隔离，同时提高器件栅极结构的完整性，进而有利于提高晶体管的性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括多个相邻的器件单元区，所述基底上形成有初始器件栅极结构，所述初始器件栅极结构横跨多个所述器件单元区；刻蚀相邻所述器件单元区交界处的部分厚度的所述初始器件栅极结构，在所述初始器件栅极结构内形成顶部开口；在所述顶部开口的侧壁上形成侧墙层；刻蚀所述侧墙层露出的剩余所述初始器件栅极结构，在剩余所述初始器件栅极结构内形成露出所述基底的底部开口，所述底部开口和所述顶部开口相连通，且剩余所述初始器件栅极结构作为器件栅极结构；在所述顶部开口和底部开口内形成隔离结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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