申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2019-08-14

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397443A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L23/528(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.04#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有源漏掺杂区，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有露出源漏掺杂区的接触孔；在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属层；在所述金属层上形成填充所述接触孔的导电层；进行第一退火处理，使所述金属层以及部分厚度的所述源漏掺杂区和导电层转化为硅化物层，位于所述接触孔内的剩余所述导电层作为接触孔插塞。本发明实施例中所述接触孔插塞能够与所述硅化物层直接接触，从而有利于提高所述接触孔插塞和源漏掺杂区之间的接触性能。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有源漏掺杂区，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有露出源漏掺杂区的接触孔；在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成金属层；在所述金属层上形成填充所述接触孔的导电层；进行第一退火处理，使所述金属层以及部分厚度的所述源漏掺杂区和导电层转化为硅化物层，位于所述接触孔内的剩余所述导电层作为接触孔插塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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