申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-08-15

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112394614A

主分类号：G03F1/72(20120101)

分类号：G03F1/72(20120101);G03F1/74(20120101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构，其中掩膜版缺陷修复方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和包围所述第一区的第二区，所述基底表面具有遮光膜；对所述遮光膜进行一次以上第一刻蚀，形成遮光层，所述遮光层内具有开口，且所述开口暴露出第一区表面；所述第一刻蚀包括：在所述遮光膜表面形成保护层；对所述第一区上的保护层和遮光膜进行第一电子束刻蚀工艺。所述方法降低掩模版缺陷的修复成本的同时，能够减小刻蚀偏差，提高掩膜缺陷修复成功率。

主权项：1.一种掩膜版缺陷修复方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和包围所述第一区的第二区，所述基底表面具有遮光膜；对所述遮光膜进行一次以上第一刻蚀，形成遮光层，所述遮光层内具有开口，且所述开口暴露出第一区表面；所述第一刻蚀包括：在所述遮光膜表面形成保护层；对所述第一区上的保护层和遮光膜进行第一电子束刻蚀工艺。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构

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