【发明公布】掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201910753709.1 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-08-15

发明/设计人:秦学飞;王杰;薛粉;凌文君;李德建

公开(公告)日:2021-02-23

代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN112394614A

代理人:徐文欣

主分类号:G03F1/72(20120101)

地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

分类号:G03F1/72(20120101);G03F1/74(20120101)

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2021.02.23#公开

摘要:一种掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构,其中掩膜版缺陷修复方法包括:提供基底,所述基底包括第一区和包围所述第一区的第二区,所述基底表面具有遮光膜;对所述遮光膜进行一次以上第一刻蚀,形成遮光层,所述遮光层内具有开口,且所述开口暴露出第一区表面;所述第一刻蚀包括:在所述遮光膜表面形成保护层;对所述第一区上的保护层和遮光膜进行第一电子束刻蚀工艺。所述方法降低掩模版缺陷的修复成本的同时,能够减小刻蚀偏差,提高掩膜缺陷修复成功率。

主权项:1.一种掩膜版缺陷修复方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区和包围所述第一区的第二区,所述基底表面具有遮光膜;对所述遮光膜进行一次以上第一刻蚀,形成遮光层,所述遮光层内具有开口,且所述开口暴露出第一区表面;所述第一刻蚀包括:在所述遮光膜表面形成保护层;对所述第一区上的保护层和遮光膜进行第一电子束刻蚀工艺。

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权利要求:

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