申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-08-15

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397588A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底内具有源掺杂层；位于所述源掺杂层上的沟道柱；位于所述沟道柱侧壁表面的栅极结构；位于所述源掺杂层表面的第一接触层，所述第一接触层具有第一厚度；位于所述沟道柱顶部表面的第二接触层，所述第二接触层具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。所述半导体结构的性能得到提升。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有源掺杂层；位于所述源掺杂层上的沟道柱；位于所述沟道柱侧壁表面的栅极结构；位于所述源掺杂层表面的第一接触层，所述第一接触层具有第一厚度；位于所述沟道柱顶部表面的第二接触层，所述第二接触层具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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