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【发明公布】半导体器件及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201910754486.0 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-08-15

公开(公告)日:2021-02-23

公开(公告)号:CN112397389A

主分类号:H01L21/336(20060101)

分类号:H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.08.18#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要:一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部;在所述基底上形成横跨第一鳍部的第一栅极结构,所述第一栅极结构覆盖部分第一鳍部侧壁的顶部表面;在所述基底上形成横跨第二鳍部的第二栅极结构,所述第二栅极结构覆盖部分第二鳍部侧壁的顶部表面;形成第一栅极结构和第二栅极结构后,在第一栅极结构两侧的第一鳍部顶部和侧壁形成第一牺牲层;在第一牺牲层侧壁形成第一保护层;去除第一栅极结构两侧的第一牺牲层和第一鳍部,形成第一凹槽,第一凹槽暴露出第一保护层侧壁;在所述第一凹槽内形成第一掺杂层;在第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。

主权项:1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部;在所述基底上形成横跨第一鳍部的第一栅极结构,所述第一栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面;在所述基底形成横跨第二鳍部的第二栅极结构,所述第二栅极结构覆盖部分第二鳍部的侧壁和顶部表面;形成第一栅极结构和第二栅极结构后,在第一栅极结构两侧的第一鳍部顶部和侧壁形成第一牺牲层;在第一牺牲层侧壁形成第一保护层;去除第一栅极结构两侧的第一牺牲层和第一鳍部,在第一鳍部内形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露出第一保护层侧壁;在所述第一凹槽内形成第一掺杂层;在第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法

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