申请/专利权人:TCL集团股份有限公司
申请日:2019-08-19
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397660A
主分类号:H01L51/50(20060101)
分类号:H01L51/50(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/56(20060101);B82Y30/00(20110101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.03.03#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料包括In2S3纳米材料和掺杂在所述In2S3纳米材料中的Sn,且所述掺杂型In2S3纳米材料中,In与Sn的摩尔比为1:0.001~0.05。本发明提供的纳米材料,提高In2S3纳米材料的载流子浓度,降低电阻率,从而提高电子传输能力,促进电子‑空穴在量子点发光层中有效地复合,进而降低激子累积对器件性能的影响,提高量子点发光层性能。
主权项:1.一种纳米材料,其特征在于,所述纳米材料包括In2S3纳米材料和掺杂在所述In2S3纳米材料中的Sn,且所述掺杂型In2S3纳米材料中,In与Sn的摩尔比为1:0.001~0.05。
全文数据:
权利要求:
百度查询: TCL集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法和应用
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