申请/专利权人：和鑫光电股份有限公司

申请日：2019-08-19

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112394586A

主分类号：G02F1/167(20190101)

分类号：G02F1/167(20190101);G02F1/1676(20190101);G02F1/1675(20190101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.17#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种像素结构，包括：基板；至少一个薄膜晶体管，具有第一上表面、所述第一上表面具有第一投影面积，且位于所述基板上方；数据线，具有数据线毗连区与所述至少一个薄膜晶体管相连；及像素电极，具有第二上表面、所述第二上表面具有第二投影面积，且位于所述至少一个薄膜晶体管上方，其中：所述第二投影面积大于所述第一投影面积；以及所述像素电极的所述第二投影面积在对应于所述至少一个薄膜晶体管的所述第一投影面积的部分被移除至少50％，且所述像素电极的所述第二投影面积在对应于所述数据线毗连区的部分被移除的部分不大于70％。相对于现有技术中的像素结构，可省略像素电极下的绝缘层，降低了加工成本，加快了制造过程。

主权项：1.一种像素结构，包括：基板80；至少一个薄膜晶体管6，具有第一上表面3、所述第一上表面3具有第一投影面积，且位于所述基板80上方；数据线30，具有数据线毗连区31与所述至少一个薄膜晶体管6相连；及像素电极10，具有第二上表面12、所述第二上表面12具有第二投影面积，且位于所述至少一个薄膜晶体管6上方，其中：所述第二投影面积大于所述第一投影面积；以及所述像素电极10的所述第二投影面积在对应于所述至少一个薄膜晶体管6的所述第一投影面积的部分被移除至少50％，且所述像素电极10的所述第二投影面积在对应于所述数据线毗连区31的部分被移除的部分不大于70％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 和鑫光电股份有限公司 像素结构

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