申请/专利权人：力成科技股份有限公司

申请日：2019-09-17

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397475A

主分类号：H01L23/498(20060101)

分类号：H01L23/498(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权：["20190815 TW 108129114"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2022.08.26#发明专利申请公布后的撤回;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元。该具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构将硅工艺的硅中介层设置于下层的封装单元内，作为上层的封装单元与底层的基板之间的电连接。依据上层封装单元的扇出接点的设计分布，以一个或多个局部配置硅中介层于下层封装单元的半导体晶粒侧边，可满足对于高阶晶片更不受限制的设计需求。

主权项：1.一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构，设置于一基板上，其特征在于，该扇出型封装晶片结构包含有：一第一封装单元，具有一半导体晶粒以及一硅中介层，该半导体晶粒以及该硅中介层嵌入封装于一封胶体中，该第一封装单元具有彼此相对的一下表面以及一上表面；以及一第二封装单元，设置于该第一封装单元的该上表面上；其中该第一封装单元以该下表面设置于该基板上，其中该半导体晶粒的多个接点电连接于该基板上，该第二封装单元的多个接点通过该硅中介层电连接于该基板上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力成科技股份有限公司 具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元

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