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【发明公布】包括层叠的半导体芯片的半导体封装_爱思开海力士有限公司_202010155588.3 

申请/专利权人:爱思开海力士有限公司

申请日:2020-03-09

公开(公告)日:2021-02-23

公开(公告)号:CN112397486A

主分类号:H01L25/065(20060101)

分类号:H01L25/065(20060101);H01L25/18(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/48(20060101)

优先权:["20190812 KR 10-2019-0098101"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要:包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括:基板;第一中介层,其设置在基板上方;第一芯片层叠物,其在第一中介层的一侧设置在基板上,其中,第一芯片层叠物包括以在第一方向上偏移的方式层叠的多个第一半导体芯片;第二芯片层叠物,其设置在第一芯片层叠物上,其中,第二芯片层叠物包括以在与第一方向相反的第二方向上偏移的方式层叠的多个第二半导体芯片;以及第三芯片层叠物,其在第一中介层的另一侧设置在基板上,其中,第三芯片层叠物包括以在第二方向上偏移的方式层叠的多个第三半导体芯片。

主权项:1.一种半导体封装,该半导体封装包括:基板;设置在所述基板上方的第一中介层;在所述第一中介层的一侧设置在所述基板上的第一芯片层叠物,其中,该第一芯片层叠物包括以在第一方向上偏移的方式层叠的多个第一半导体芯片;设置在所述第一芯片层叠物上的第二芯片层叠物,其中,该第二芯片层叠物包括以在与所述第一方向相反的第二方向上偏移的方式层叠的多个第二半导体芯片;以及在所述第一中介层的另一侧设置在所述基板上的第三芯片层叠物,其中,该第三芯片层叠物包括以在所述第二方向上偏移的方式层叠的多个第三半导体芯片,其中,所述第一中介层与在所述第一方向上突出超过所述第一芯片层叠物的所述第二芯片层叠物的底表面接触,其中,所述第三芯片层叠物的厚度大于所述第一芯片层叠物的厚度和所述第二芯片层叠物的厚度之和,并且其中,所述第三芯片层叠物在所述第一中介层的至少一部分上方延伸,以使得所述第一中介层的所述至少一部分位于所述第三芯片层叠物下方的空间中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 爱思开海力士有限公司 包括层叠的半导体芯片的半导体封装

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