申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2020-05-19
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397589A
主分类号:H01L29/78(20060101)
分类号:H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L27/108(20060101)
优先权:["20190813 US 16/539,172"]
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的撤回
法律状态:2023.12.05#发明专利申请公布后的撤回;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:本发明涉及晶体管及形成晶体管的方法。一些实施例包含具有栅极的晶体管,其中所述栅极在半导体基底之上。所述栅极具有侧壁。沟道区域在所述栅极之下。间隔件沿着所述侧壁。所述间隔件各自包含间隔件结构及所述间隔件与所述栅极之间的空隙。所述间隔件结构各自包含从水平片段向上延伸的垂直片段。所述垂直片段在拐角处接合到所述水平片段。源极漏极区域邻近所述沟道区域。所述空隙可沿着所述间隔件结构的所述垂直片段的整体,且可围绕所述拐角延伸且延伸到所述间隔件结构的所述水平片段之下。另外或替代地,所述空隙的底部可邻近包含硅、氮、硼及氧的填充材料。一些实施例包含形成晶体管的方法。
主权项:1.一种形成晶体管的方法,其包括:在半导体基底之上形成一或多种栅极电介质材料;在所述一或多种栅极电介质材料之上形成一或多种栅极材料;将所述一或多种栅极材料图案化到栅极材料块中;所述栅极材料块具有沿着横截面的一对相对侧壁;所述侧壁是第一侧壁及第二侧壁;晶体管沟道区域在所述半导体基底内且在所述栅极材料块正下方;沿着所述第一及第二侧壁分别形成第一及第二间隔件;所述第一及第二间隔件各自包括邻近第二间隔件材料的第一间隔件材料;所述第一间隔件材料包括硅、硼及氮且是在所述第二间隔件材料与所述栅极材料块之间;在所述半导体基底内且邻近所述晶体管沟道区域形成第一及第二源极漏极区域;所述第一源极漏极区域接近所述第一侧壁,且所述第二源极漏极区域接近所述第二侧壁;及在形成所述第一及第二源极漏极区域之后,移除所述第一间隔件材料的至少一些以在所述第一及第二间隔件内分别留下第一及第二空隙。
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