申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2020-07-14
公开(公告)日:2021-02-23
公开(公告)号:CN112397447A
主分类号:H01L21/78(20060101)
分类号:H01L21/78(20060101);H01L23/552(20060101);B23K26/38(20140101)
优先权:["20190816 KR 10-2019-0100527"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.07.26#实质审查的生效;2021.02.23#公开
摘要:提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括:提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层,半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域,切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间,并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上;通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层;通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面,使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播;以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
主权项:1.一种切割半导体晶片的方法,所述方法包括:提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层,所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域,所述切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间,并且所述金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和所述切割区域提供在所述有源表面上;通过沿着所述切割区域将激光照射到所述半导体衬底内部来形成改性层;通过抛光所述半导体衬底的与所述有源表面相反的无源表面,使裂纹在垂直于所述金属屏蔽层的长轴方向的方向上从所述改性层传播;以及通过基于从所述改性层传播的所述裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 半导体晶片及切割半导体晶片的方法
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